本文標題："用多光束干涉法測得黑色蝕抗所描出的滑動痕跡"

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用多光束干涉法測得黑色蝕抗所描出的滑動痕跡

     位錯蝕抗往往保持六方形，取向的那些蝕抗有時會顯露
出細小的二次邊緣，特別是長時間腐蝕之后。位錯密度生長良
好的晶體中的蝕抗位錯密度通常是很低的，要極端情況下，位
錯密度可能是1-10個厘米，在其他情況下，由于范性形變可能
多至10厘米，大多數(shù)蝕抗都與卷線無關，并且呈現(xiàn)出直線的排
列，因此它們很可能是由于變形的結果。
     然而，x 射線衍射法表明，許多位錯存在于C 面內(nèi)，C 面
內(nèi)的位錯密度變動于0 到10厘米之間，曾經(jīng)發(fā)現(xiàn)，0.1 厘米那樣
大的面積都沒有任何位錯，因為蝕抗功或生長卷線都不能顯露C面
內(nèi)的位錯，所以這兩種實驗方法只是補充的方法。
     從蝕抗圖譜測定滑動要素角錐滑動面由下述方法測定，仔細
觀察照片下部黑色蝕抗所描出的滑動痕跡，就可以看出這條蝕抗線
是稍微彎曲的，因為在這一晶面上同時形成的其他滑動痕跡都是完
全直的，因此可以這樣假定，即攀移沒有發(fā)生，并且觀察到的彎曲
是因為高表面梯階存在產(chǎn)生了表面彎曲的結果，這種高表面梯階可
以看得很清楚，若滑動面不垂直于觀察面，則滑動痕跡每橫截梯階
一次時橫向位移，則可以求得，用多光束干涉法測得，而則從一張
放大的顯微照片上測得。

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用多光束干涉法測得黑色蝕抗所描出的滑動痕跡,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應

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