第二組試驗矽晶圓在和TE1試劑類似的混合物中，但其化學成份有被調整過。第二組化學試劑TE2具有和TE1相似的成份，比起TE1來具有較高的化學氧化物濃度。在這些實驗里，矽晶圓在第二組混合物中在25°C下作用達15秒，選擇較低的溫度的目的是為了來減少逸氣現(xiàn)象，因此可幫助降低表面的粗糙度。這些試驗的目的是要在薄化矽晶圓上制造出與傳統(tǒng)的單面拋光(single-sided polish，SSP)晶圓背面有相似的表面粗糙度。測量一片200毫米未經(jīng)處理矽晶圓底部剖面(圖三)為例子，結果計算出TIR數(shù)值為5878.5埃而Ra數(shù)值為1506.8埃。以TE2制作的首批矽晶圓證實了和傳統(tǒng)SSP矽晶圓底部表面參考值比起來其晶圓表面處理有相當大的不同，且和TE1所見到的化學反應結果不同。此結果是因為改變氧化劑濃度和制程溫度，進而減少了矽晶圓表面化學反應速率，儘管在機械式背面研磨后仍舊提供了一個有紋路、粗糙、無損傷的表面，但TE2化學試劑還是提供了一個可以用來做為背面金屬化的表面。從粗糙度量測計算出來的結果TIR數(shù)值是4639.6埃以及649.9埃Ra，經(jīng)由增加制程時間到20秒，則可達到和具有6132.9埃TIR和1089埃Ra (圖四)SSP的參考晶圓相近的表面粗糙度數(shù)值。

 

　再進一步的測試是使用TE2將操作時間增加到60秒，這會產生與第二組試驗相似的褪色表面結果，但是在矽晶圓表面的粗糙度卻有意想不到的增加。比較20秒的制程，表面粗糙度增加了將近3倍多。由圖五中的SEM與表面輪廓圖可計算出其1.77微米TIR以及2806.8埃Ra的數(shù)值。