本文標題："光學顯微鏡對焦工件測量邊緣區(qū)域-上光儀器"

我們透過光學顯微鏡監(jiān)視洗淨后的邊緣偏移區(qū)域。圖三顯示晶圓邊緣的SEM截面圖。由于光學顯微鏡沒有對焦在邊緣區(qū)域，因此僅在晶圓的平坦區(qū)域量測邊緣蝕刻的距離。

因素效應(yīng)：圖四顯示各種因素效應(yīng)對溼式邊緣蝕刻的影響，表一列出田口法L9 DOE的各項因素。根據(jù)我們的觀察，在特定的化學制劑下，晶圓轉(zhuǎn)速對斜邊邊緣距離有大的影響力。

轉(zhuǎn)速與0.35至1.2mm邊緣偏移區(qū)域，兩者之間呈現(xiàn)線性比例關(guān)系。在溼式邊緣與邊緣偏移區(qū)域方面，則與晶圓轉(zhuǎn)速呈反比關(guān)系，轉(zhuǎn)速與向心力的變化有直接關(guān)連。

隨著轉(zhuǎn)速增加，旋轉(zhuǎn)力逐漸下降，意謂著化學制劑與晶圓接觸的時間也隨之增加。因為表面張力的緣故，化學制劑有移動到晶圓正面的趨勢，因此化學制劑相對的接觸時間亦隨之增加，

意謂移動會延續(xù)更長的時間，也就是進一步往晶圓中央移動。蝕刻時間亦觀察出類似的現(xiàn)象，但沒有比旋轉(zhuǎn)速度要來得明顯。在觀察的范圍與化學制劑中，

如同我們的預(yù)測，晶圓移動與N2流速對于邊緣偏移區(qū)域的影響程度較不明顯。在這個實驗中，HF流速與HF是固定不變，因此沒有測試相對的效應(yīng)。

佳狀況：圖五顯示在一個晶圓邊緣上12個連續(xù)等距位置所拍下的光學顯微鏡影像。圖中亦顯示制程條件，這些條件是從DOE分析所得到的佳狀態(tài)，

在這里代表佳方法BKM。這些設(shè)定對映至均勻邊緣偏移0.7±0.2 mm(我們的目標為：0.7±0.3 mm)。這些在有進行晶圓移動與沒有進行晶圓移動的條件，在均勻的消除薄膜制程中都是必要的因素。

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