開發(fā)的線上檢測誤差的影像量測顯微鏡
一方面了解機臺精度,一方面分析本技術所能達到的精度,具體的目標說明如下:
兩次電極涂布對位誤差補償技術以往硅晶太陽能芯片在單次電極涂布時,涂布區(qū)域相對于芯片邊界在位置及角度上皆允許有較大誤差的產生,介于 200~300 μm,但并不影響芯片的轉換效率。然而,當制程改變?yōu)閮纱瓮坎紩r,
若仍使用單次涂布的檢測與補償技術,將只能修正芯片邊界的對位誤差,但無法解決涂布區(qū)域相對于芯片邊界的誤差及兩次涂布電極的錯位問題。
因此,將使用自行開發(fā)的線上檢測與誤差補償技術,實際對兩次涂布所產生的對位誤差進行補償。透過影像采集設備并配合誤差補償軟件,實際對涂布機臺進行補償值的修正,希望將兩次涂布之對位誤差降至 50 μm 內,目標為在現有機臺上做小改變,并滿足量產性
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