電子和精密機械零件加工制造檢測工具顯微鏡
阻障層完整性的損壞(barrier integrity damage)與二氧化矽凹陷(oxide depressions)
阻障層完整性的損壞與二氧化矽凹陷發(fā)生的主要原因,是由于電鍍層與化學(xué)機械研磨
或化學(xué)機械研磨與阻障層沉積的交互作用,
化學(xué)機械研磨后介電層表面的凹陷在晶圓檢測階段可以檢測出來,
因為凹陷是由二氧化矽層的過磨經(jīng)由穿孔所導(dǎo)致的,而且其350到600埃的深度一般都超過阻障層厚度,所以在移除過程不同的時間階段對阻障層表面進行檢驗,會發(fā)現(xiàn)凹陷是在移除過程的早期階段發(fā)生于阻障層的,在介電層表面的深孔也顯示了前面對刮痕所討論的相同問題。#F#圖七:不完全的阻障層移除會造成深入二氧化矽層的針孔
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