本文標(biāo)題："預(yù)測(cè)額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測(cè)量"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動(dòng)態(tài) ------ 人瀏覽過(guò) -----時(shí)間：2015-10-2 11:26:37

預(yù)測(cè)額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測(cè)量

    來(lái)自大氣的鈉污染 從下面的實(shí)驗(yàn)說(shuō)明，在大氣條件下貯存
的樣品，很快被鈉和鈉化合物所污染。在通常的試驗(yàn)室，氧化硅晶
片貯存2天后，鈉的污染程度為1016原子/厘米氣，然而，在過(guò)濾層
流潔凈化臺(tái)中，氧化晶片貯存2天以后，鈉的污染程度為6x門(mén)
原子/厘米，貯存20天以后，鈉的污染程度可達(dá)8x1012到5x10
原子/厘米。貯存120天以后，鈉的污染程度達(dá)到2x1014到1.5
x 101“原子/厘米。也可以檢驗(yàn)鉀對(duì)硅片的污染情況。所以硅片
在用于器件之前，如不進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑矗@種污染便能發(fā)生反型層
問(wèn)題。
    周?chē)h(huán)境中所含的鈉不好測(cè)定。然而可以推測(cè)，如不把硅片
安置在水平層流型的氣流中，周?chē)h(huán)境中相當(dāng)大的粒子就會(huì)沉積
在硅片上，這些塵較中通常含有鈉，或者在其表面附著鈉。
    產(chǎn)品與工廠環(huán)境的關(guān)系
    人們很早就發(fā)現(xiàn)粒子會(huì)使半導(dǎo)體器件失效。在幾年前，當(dāng)?shù)?br />一次應(yīng)用平面制造工藝時(shí)，才弄清了硅晶休管失效率和環(huán)境條件
的實(shí)際關(guān)系。初，在昔通的工廠環(huán)境中，在小規(guī)模試驗(yàn)性生產(chǎn)的
墓礎(chǔ)上，開(kāi)始制造npn平面型晶體管，在這種環(huán)境條件下，大于
0.5微米的灰塵的數(shù)量級(jí)通常是10粒子/立方英尺。后來(lái)，把生
產(chǎn)線設(shè)置在相對(duì)潔凈的空氣中(=2000-10000粒子/立方英尺)，
并嚴(yán)格固定工作位置。圖2-10表示在這兩種環(huán)境下，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行
加速壽命試驗(yàn)的結(jié)果。加速壽命試驗(yàn)是在器件輸入兩倍額定功
率，使芯片溫度超過(guò)額定值的情況下進(jìn)行的。因?yàn)楹褪视嘘P(guān)
的一個(gè)重要因素是試驗(yàn)測(cè)出的結(jié)溫，所以，可以采用在加速壽命試
驗(yàn)條件下測(cè)量的失效率來(lái)預(yù)測(cè)額定功率條件下的失效率。

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預(yù)測(cè)額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測(cè)量,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

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