本文標(biāo)題："在粒子氧化物被腐蝕造成過多的漏電流的原因"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動態(tài) ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-10-1 21:13:23

在粒子氧化物被腐蝕造成過多的漏電流的原因

    因為一些器件的管殼是銅，所以銅的淀積可以作為金屬淀積
使晶體管損壞的一個實際例子。當(dāng)器件輸出功率使片溫升高時，
銅首先淀積在器件的高摻雜區(qū)，周圍環(huán)境中的氛又加強了銅的淀
積過程。淀積的體積約為1立方微米，重量約9x10-”克或約為
7 x 101銅原子。
    粒子的影響 一 在微電子器件的制造中，微?？梢栽斐珊土Ｗ?br />大小相當(dāng)?shù)尼樋缀推渌毕?。圖2-6a為兩顆小到直徑為0.3微
米的粒子，在圖形形成前恰好嵌入硅平面器件光刻膠的薄層中;圖
2-3b為在正常的光刻圖形形成后，粒子卻使氧化層暴露出來;圖
2-6o為由于正常光刻圖形上的氧化層要被腐蝕，因此在腐蝕時，
在粒子所開窗口的氧化物也被腐蝕，而使硅的pn結(jié)暴露出來，這
就是造成過多的漏電流的主要原因。

后一篇文章：預(yù)測額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測量 »
前一篇文章：« 雜質(zhì)的遷移對于器件特性有什么影響工具顯微鏡

tags:數(shù)碼顯微鏡,光學(xué)顯微鏡,科學(xué),生物顯微鏡,精密儀器,

在粒子氧化物被腐蝕造成過多的漏電流的原因,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

本頁地址：http://www.16mnwufgg.org.cn/wz/2159.html轉(zhuǎn)載注明
本站地址：http://www.16mnwufgg.org.cn/
http://www.xianweijing.org/