本文標題："電子顯微鏡雙極硅集成電路的主要電路元件"

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電子顯微鏡雙極硅集成電路的主要電路元件

    硅的類型和雜質濃度是由基片的類型或以后的處理方式所決
定的。圖上并表示一個雙極硅集成電路的主要電路元件:晶休管，
電阻和二極管。集成電路的全部制造過程就是:怎樣產生這些不
詞的區(qū)域、元件的電路連接、電路測試以及為機械和環(huán)境保護提供
管芯封裝。
    一般工藝過程—硅集成電路
    為了產生所需要的n型或P型區(qū)域，芯片區(qū)要用適當?shù)碾s質
進行有選擇的摻雜:(1)在硅片上生長一層均勻的氧化物;(2)用光
刻工藝在氧化層開窗口;(3)將適當?shù)碾s質擴散到曝露的硅內(氧
化物防止了它下面的硅摻雜);(4)生長一層新的氧化物。如圖1-5
所示，每制造一個硅集成電路，上述過程要重復進行6次。再經(jīng)過
一道工序，刻在氧化物中的圖形就在硅內明顯下凹，然后用它來對
準下一個圖形。硅的摻雜層也可以通過所謂“外延”，過程生長在硅
片上。下而就每一道基本工序作一簡單敘述，
    硅片制備硅集成電路制造中用的硅片，直徑達1.5-3.0英
寸，厚度為0.010英寸，這是一種對特定平面經(jīng)過仔細定向，十分
理想的單晶硅。為了得到這種單晶硅，要將硅經(jīng)過氣態(tài)反應的精
煉，使其雜質含量小于1x10-9。然后使它熔化并加入含量為
1 x 10-8的硼。后，用經(jīng)過嚴格定向的種晶，從這一熔液中拉出
單品硅錠。拉出的硅錠具有均勻的直徑，長達20英寸。接著把它
切割成厚約0.02英寸的薄片，并用化學和機械相結合的方法將其
一個面研磨，并進行拋光，達到鏡面光沽度，終得到0.010英寸
的厚度。

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