保證膠膜厚薄為什么要對粘度和使用規(guī)程實行嚴格控制
光刻要使已進行摻雜的硅區(qū)域暴露出來可以采用“光刻”方法在硅氧化物上刻蝕圖形。為此,先把對特定的紫外光帶敏感的乳膠均勻轉壓在硅片上,然后通過刻有所需圖形的精密掩模進行曝光。這道工序通常在專門的潔凈室里進行,室內采用不影響乳膠性質的黃色照明。每個掩模在一個X-Y陳列里刻有好幾百個相同的圖形,每個圖形形成一個電路。要去除曝光區(qū)的長化物可利用稀作的氛氟酸進行腐蝕,這種酸能夠溶解氧化硅,但不能腐蝕受到乳膠保護的部分。 硅片上的乳膠必須均勻一致,厚度一定。乳膠膜薄對制造很小的圖形是有利的,但是,膜太薄可能出現(xiàn)針孔,使氧化物產(chǎn)生不應有的小孔。膠膜厚度還決定了需要曝光的時間,厚度變化過大會引起一部分硅片曝光不當。要保證膠膜厚薄一致,必須對其粘度和使用規(guī)程實行嚴格控制,而且使用前乳膠必須經(jīng)過過濾,除去其中的固體粒子。
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